库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 175 毫欧 @ 10A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 72 nC @ 20 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 175W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | D3 |
| 封装/外壳: | D-3 模块 |
| 标准包装: | 1 |
APT25SM120S
型号：APT25SM120S
品牌：Microsemi美高森美
描述：SICFET N-CH 1200V 25A D3
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货期：1-2天
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