货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
25 | ¥72.779156 | ¥1819.48 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | DTMOSIV |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 88 毫欧 @ 15.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.7V @ 1.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 86 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3000 pF @ 300 V |
FET 功能: | 超级结 |
功率耗散(最大值): | 230W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-3P(N) |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装: | 25 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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FCA36N60NF | onsemi | ¥88.85000 | 类似 |
FCA47N60 | onsemi | ¥76.49000 | 类似 |
TK31J60W,S1VQ
型号:TK31J60W,S1VQ
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
库存:0
单价:
25+: | ¥72.779156 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00