库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥263.343013 | ￥263.34 |
| 10 | ￥242.924604 | ￥2429.25 |
| 100 | ￥207.441309 | ￥20744.13 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™, Polar |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 235 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7600 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 680W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | SOT-227B |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装: | 10 |
IXFN200N10P
型号：IXFN200N10P
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
库存：0
单价：
| 1+： | ￥263.343013 |
| 10+： | ￥242.924604 |
| 100+： | ￥207.441309 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥263.34