SI3443CDV-T1-GE3

制造商编号:
SI3443CDV-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
规格说明书:
SI3443CDV-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.346435 5.35
10 4.611611 46.12
100 3.447083 344.71

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 610 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta),3.2W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-TSOP
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTGS3443T1G onsemi ¥3.53000 类似
FDC642P onsemi ¥4.84000 类似

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SI3443CDV-T1-GE3

型号:SI3443CDV-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

库存:0

单价:

1+: ¥5.346435
10+: ¥4.611611
100+: ¥3.447083
500+: ¥2.708156
1000+: ¥2.092657
3000+: ¥1.908056
6000+: ¥1.846497

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