JAN2N5014

制造商编号:
JAN2N5014
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
NPN TRANSISTOR
规格说明书:
JAN2N5014说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: Military, MIL-PRF-19500/727
包装: 散装
零件状态: 停产
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 @ 20mA,10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AA,TO-5-3 金属罐
供应商器件封装: TO-5
标准包装: 1

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JAN2N5014

型号:JAN2N5014

品牌:Microsemi美高森美

描述:NPN TRANSISTOR

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