货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥17.246082 | ¥17.25 |
10 | ¥15.503236 | ¥155.03 |
100 | ¥12.460494 | ¥1246.05 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen IV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.7 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 78 nC @ 7.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5130 pF @ 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 104W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
标准包装: | 3,000 |
SIR626DP-T1-RE3
型号:SIR626DP-T1-RE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
库存:0
单价:
1+: | ¥17.246082 |
10+: | ¥15.503236 |
100+: | ¥12.460494 |
500+: | ¥10.237356 |
1000+: | ¥8.774904 |
3000+: | ¥8.774847 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.25