- 制造商编号：
- DF11MR12W1M1B11BOMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET MODULE 1200V 50A
- 规格说明书：
- DF11MR12W1M1B11BOMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 碳化硅（SiC） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 23 毫欧 @ 50A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V @ 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 125nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3950pF @ 800V |
| 功率 - 最大值: | 20mW |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | AG-EASY1BM-2 |
| 标准包装: | 24 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Infineon Technologies | ¥1,057.79000 | 直接 |
DF11MR12W1M1B11BOMA1
型号：DF11MR12W1M1B11BOMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET MODULE 1200V 50A
库存：0
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货期：1-2天
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