库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 10 | ￥2654.098449 | ￥26540.98 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 2 个独立式 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 40 A |
| 功率 - 最大值: | 20 mW |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.55V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 40 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 2.8 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 标准包装: | 10 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FF225R12ME4BOSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥1,147.69000 | 类似 |
BYM300B170DN2HOSA1
型号：BYM300B170DN2HOSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：IGBT MOD 650V 40A 20MW
库存：0
单价：
| 10+： | ￥2654.098449 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00