- 制造商编号：
- RN49A1FE(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 描述：
- PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE
- 规格说明书：
- RN49A1FE(TE85L,F)说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.630602 | ￥3.63 |
| 10 | ￥2.940539 | ￥29.41 |
| 100 | ￥1.557429 | ￥155.74 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| 晶体管类型: | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 5.6A（Ta），11.7A（Tc） |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 47 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 80 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 200MHz，250MHz |
| 功率 - 最大值: | 100mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 标准包装: | 4,000 |
RN49A1FE(TE85L,F)
型号：RN49A1FE(TE85L,F)
品牌：Toshiba东芝
描述：PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2KΩ, Q1BE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.630602 |
| 10+： | ￥2.940539 |
| 100+： | ￥1.557429 |
| 500+： | ￥1.02475 |
| 1000+： | ￥0.696852 |
| 2000+： | ￥0.628542 |
| 4000+： | ￥0.628529 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.63