货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥90.77845 | ¥90.78 |
10 | ¥81.961633 | ¥819.62 |
100 | ¥67.858943 | ¥6785.89 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ P7 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 61A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 22.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1.08mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 90 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3891 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 201W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO247-3-41 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
IPW60R045P7XKSA1
型号:IPW60R045P7XKSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
库存:0
单价:
1+: | ¥90.77845 |
10+: | ¥81.961633 |
100+: | ¥67.858943 |
500+: | ¥66.300732 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥90.78