IPT007N06NATMA1

制造商编号:
IPT007N06NATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
规格说明书:
IPT007N06NATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 81.738289 81.74
10 73.880273 738.80
100 61.167569 6116.76

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.75 毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.3V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 287 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16000 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
标准包装: 2,000

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IPT007N06NATMA1

型号:IPT007N06NATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

库存:0

单价:

1+: ¥81.738289
10+: ¥73.880273
100+: ¥61.167569
500+: ¥57.272555
2000+: ¥57.272555

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