库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥4.096327 | ￥12288.98 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | SkyFET®, TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 43 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1765 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.8W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度: | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD17308Q3 | Texas Instruments | ¥7.68000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥8.29000 | 类似 |
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
SI7726DN-T1-GE3
型号：SI7726DN-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥4.096327 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00