IRLMS6702TRPBF

制造商编号:
IRLMS6702TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
规格说明书:
IRLMS6702TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.204351 6.20
10 5.280537 52.81
100 3.942561 394.26

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 200 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.7W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro6™(TSOP-6)
封装/外壳: SOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTGS3443T1G onsemi ¥3.53000 类似

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型号:IRLMS6702TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6

库存:0

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1+: ¥6.204351
10+: ¥5.280537
100+: ¥3.942561
500+: ¥3.098122
1000+: ¥2.394009
3000+: ¥2.347035

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