IRL6372TRPBF

制造商编号:
IRL6372TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
规格说明书:
IRL6372TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.369649 9.37
10 8.38595 83.86
100 6.535501 653.55

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 17.9 毫欧 @ 8.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1020pF @ 25V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 4,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AO4818B Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥6.53000 类似
STS10DN3LH5 STMicroelectronics ¥9.37000 类似
AO4842 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.91000 类似

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IRL6372TRPBF

型号:IRL6372TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥9.369649
10+: ¥8.38595
100+: ¥6.535501
500+: ¥5.398765
1000+: ¥4.735765
4000+: ¥4.735765

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