货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥5.77909 | ¥5.78 |
10 | ¥4.910517 | ¥49.11 |
100 | ¥3.669665 | ¥366.97 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 330mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.25 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.6 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 30 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 250mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-75A |
封装/外壳: | SC-75,SOT-416 |
标准包装: | 3,000 |
SI1022R-T1-GE3
型号:SI1022R-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
库存:0
单价:
1+: | ¥5.77909 |
10+: | ¥4.910517 |
100+: | ¥3.669665 |
500+: | ¥2.883253 |
1000+: | ¥2.228005 |
3000+: | ¥2.031379 |
6000+: | ¥1.96586 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.78