库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥450.199106 | ￥450.20 |
| 10 | ￥420.004214 | ￥4200.04 |
| 36 | ￥415.20635 | ￥14947.43 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 50 A |
| 功率 - 最大值: | 208 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.3V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 4.15 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | ACEPACK™ 1 |
| 标准包装: | 36 |
A1P50S65M2-F
型号：A1P50S65M2-F
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
库存：0
单价：
| 1+： | ￥450.199106 |
| 10+： | ￥420.004214 |
| 36+： | ￥415.20635 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥450.20