- 制造商编号：
- APTGT35H120T1G
- 制造商：
- Microsemi美高森美
- 描述：
- IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
- 规格说明书：
- APTGT35H120T1G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 全桥反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 55 A |
| 功率 - 最大值: | 208 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 250 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 2.5 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SP1 |
| 供应商器件封装: | SP1 |
| 标准包装: | 1 |
APTGT35H120T1G
型号：APTGT35H120T1G
品牌：Microsemi美高森美
描述：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
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货期：1-2天
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