库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥28.932917 | ￥28.93 |
| 10 | ￥25.962538 | ￥259.63 |
| 25 | ￥24.494133 | ￥612.35 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | NexFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2060pF @ 12.5 |
| 功率 - 最大值: | 13W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerLDFN |
| 供应商器件封装: | 8-LSON（5x6） |
| 标准包装: | 2,500 |
CSD86360Q5D
型号：CSD86360Q5D
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥28.932917 |
| 10+： | ￥25.962538 |
| 25+： | ￥24.494133 |
| 100+： | ￥20.86925 |
| 250+： | ￥19.595157 |
| 500+： | ￥17.145744 |
| 1000+： | ￥16.175242 |
| 2500+： | ￥16.175242 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥28.93