STGWA40H65DFB

制造商编号:
STGWA40H65DFB
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT TRENCH 650V 80A TO247
规格说明书:
STGWA40H65DFB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 40.682641 40.68
10 36.552209 365.52
100 29.948989 2994.90

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: HB
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,40A
功率 - 最大值: 283 W
开关能量: 498µJ(开),363µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 40ns/142ns
测试条件: 400V,40A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 62 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247 长引线
标准包装: 600

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STGWA40H65DFB

型号:STGWA40H65DFB

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT TRENCH 650V 80A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥40.682641
10+: ¥36.552209
100+: ¥29.948989
500+: ¥25.494811
1000+: ¥25.355692

货期:1-2天

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