IXTX110N20L2

制造商编号:
IXTX110N20L2
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
规格说明书:
IXTX110N20L2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 359.690747 359.69
10 331.697807 3316.98
100 283.249034 28324.90

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Linear L2™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 500 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 23000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 960W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFP4227PBF Infineon Technologies ¥35.02000 类似

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IXTX110N20L2

型号:IXTX110N20L2

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3

库存:0

单价:

1+: ¥359.690747
10+: ¥331.697807
100+: ¥283.249034
500+: ¥257.160544

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