货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.977038 | ¥8.98 |
10 | ¥7.867963 | ¥78.68 |
100 | ¥6.032022 | ¥603.20 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.9A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 3.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 540 pF @ 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.25W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
TSM2318CX RFG
型号:TSM2318CX RFG
品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
库存:0
单价:
1+: | ¥8.977038 |
10+: | ¥7.867963 |
100+: | ¥6.032022 |
500+: | ¥4.768722 |
1000+: | ¥3.814992 |
3000+: | ¥3.457353 |
6000+: | ¥3.251416 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.98