BYT08P-1000

制造商编号:
BYT08P-1000
制造商:
ST意法半导体
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC
规格说明书:
BYT08P-1000说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.9 V @ 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 155 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 35 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
标准包装: 1,000

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BYT08P-1000

型号:BYT08P-1000

品牌:ST意法半导体

描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC

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