PMPB10XNE,115

制造商编号:
PMPB10XNE,115
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
规格说明书:
PMPB10XNE,115说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 1.465222 4395.67

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2175 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.7W(Ta),12.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AON2408 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥5.38000 类似

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型号:PMPB10XNE,115

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6

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