库存 ：14080
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.73839 | ￥14.74 |
| 10 | ￥13.201859 | ￥132.02 |
| 100 | ￥10.294988 | ￥1029.50 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Goford Semiconductor |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 71A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 44.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2626 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 79W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5.2x5.86） |
| 标准包装: | 5,000 |
GT52N10D5
型号：GT52N10D5
品牌：Goford Semiconductor
描述：N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
库存：14080
单价：
| 1+： | ￥14.73839 |
| 10+： | ￥13.201859 |
| 100+： | ￥10.294988 |
| 500+： | ￥8.504518 |
| 1000+： | ￥6.714095 |
| 2000+： | ￥6.266494 |
| 5000+： | ￥6.104988 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.74