IDB15E60ATMA1

制造商编号:
IDB15E60ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
规格说明书:
IDB15E60ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 7.925245 7925.24

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 最后售卖
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 29.2A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2 V @ 15 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 87 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RFUH10NS6STL Rohm Semiconductor ¥11.14000 类似
DSEI36-06AS-TUB IXYS ¥24.96000 类似
STTH15RQ06GY-TR STMicroelectronics ¥14.59000 类似

客服

购物车

IDB15E60ATMA1

型号:IDB15E60ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

库存:0

单价:

1000+: ¥7.925245

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00