FDD14AN06LA0

制造商编号:
FDD14AN06LA0
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
规格说明书:
FDD14AN06LA0说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 32 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2810 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TSM120N06LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥17.20000 类似
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies ¥13.29000 类似
IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies ¥11.60000 类似

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FDD14AN06LA0

型号:FDD14AN06LA0

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA

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