IXTA60N20T

制造商编号:
IXTA60N20T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
规格说明书:
IXTA60N20T说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50 47.683487 2384.17

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Trench
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 73 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4530 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

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型号 品牌 参考价格 说明
RCJ700N20TL Rohm Semiconductor ¥35.56000 类似

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型号:IXTA60N20T

品牌:IXYS艾赛斯

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