STGB30H60DF

制造商编号:
STGB30H60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 60A 260W D2PAK
规格说明书:
STGB30H60DF说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 260 W
开关能量: 350µJ(开),400µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 105 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 50ns/160ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 110 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
标准包装: 1,000

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STGB30H60DF

型号:STGB30H60DF

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 60A 260W D2PAK

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