HUF75307D3

制造商编号:
HUF75307D3
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
规格说明书:
HUF75307D3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: UltraFET™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 20 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 1,800

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HUF75307D3

型号:HUF75307D3

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 55V 15A IPAK

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