STY100NM60N

制造商编号:
STY100NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
规格说明书:
STY100NM60N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 278.437367 278.44
10 256.789278 2567.89
100 229.507912 22950.79

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29 毫欧 @ 49A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC @ 10 V
Vgs(最大值): 25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9600 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: MAX247™
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFX120N65X2 IXYS ¥186.92000 类似

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STY100NM60N

型号:STY100NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247

库存:0

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1+: ¥278.437367
10+: ¥256.789278
100+: ¥229.507912

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