货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥11.55818 | ¥11.56 |
10 | ¥10.294076 | ¥102.94 |
100 | ¥8.028034 | ¥802.80 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® Gen IV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 29.4A(Ta),108A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.5 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 115 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | +16V,-20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4930 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 5W(Ta),65.7W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8S |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8S |
标准包装: | 3,000 |
SISS05DN-T1-GE3
型号:SISS05DN-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥11.55818 |
10+: | ¥10.294076 |
100+: | ¥8.028034 |
500+: | ¥6.632002 |
1000+: | ¥5.235776 |
3000+: | ¥5.235833 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.56