US1D-M3/5AT

制造商编号:
US1D-M3/5AT
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
规格说明书:
US1D-M3/5AT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
15000 0.814051 12210.76

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 7,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RS1D-13-F Diodes Incorporated ¥3.92000 类似
RS1D onsemi ¥3.76000 类似

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US1D-M3/5AT

型号:US1D-M3/5AT

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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