TSM70N1R4CH C5G

制造商编号:
TSM70N1R4CH C5G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251
规格说明书:
TSM70N1R4CH C5G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
15000 4.379228 65688.42

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 38W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251(IPAK)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 1,875

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型号 品牌 参考价格 说明
STU5N62K3 STMicroelectronics ¥13.44000 类似

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TSM70N1R4CH C5G

型号:TSM70N1R4CH C5G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251

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