SICRB101200TR

制造商编号:
SICRB101200TR
制造商:
SMC Diode Solutions桑德斯微
描述:
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
规格说明书:
SICRB101200TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
800 50.116749 40093.40

规格参数

属性 参数值
制造商: SMC Diode Solutions(桑德斯微)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V @ 10 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: 640pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 800

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SICRB101200TR

型号:SICRB101200TR

品牌:SMC Diode Solutions桑德斯微

描述:DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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