库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥10.191412 | ￥20382.82 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | MDmesh™ II Plus |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 670 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 410 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 85W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 2,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥16.74000 | 类似 |
| FCP650N80Z | onsemi | ¥23.19000 | 类似 |
STP11N65M2
型号：STP11N65M2
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 650V 7A TO220
库存：0
单价：
| 2000+： | ￥10.191412 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00