IPP051N15N5AKSA1

制造商编号:
IPP051N15N5AKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
规格说明书:
IPP051N15N5AKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 71.231923 71.23
10 64.359888 643.60
100 53.285929 5328.59

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™ 5
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.1 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V @ 264µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7800 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500mW(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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IPP051N15N5AKSA1

型号:IPP051N15N5AKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3

库存:0

单价:

1+: ¥71.231923
10+: ¥64.359888
100+: ¥53.285929
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