货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥11.836759 | ¥11.84 |
10 | ¥10.589672 | ¥105.90 |
100 | ¥8.259496 | ¥825.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | M |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 8 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 16 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.1V @ 15V,4A |
功率 - 最大值: | 68 W |
开关能量: | 40µJ(开),136µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 15.2 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 12ns/86ns |
测试条件: | 400V,4A,47 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 133 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装: | DPAK |
标准包装: | 2,500 |
STGD4M65DF2
型号:STGD4M65DF2
品牌:ST意法半导体
描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
库存:0
单价:
1+: | ¥11.836759 |
10+: | ¥10.589672 |
100+: | ¥8.259496 |
500+: | ¥6.823021 |
1000+: | ¥5.928699 |
2500+: | ¥5.928699 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.84