STGD4M65DF2

制造商编号:
STGD4M65DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
规格说明书:
STGD4M65DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.836759 11.84
10 10.589672 105.90
100 8.259496 825.95

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: M
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 16 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值: 68 W
开关能量: 40µJ(开),136µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 15.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 12ns/86ns
测试条件: 400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 133 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
标准包装: 2,500

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STGD4M65DF2

型号:STGD4M65DF2

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

库存:0

单价:

1+: ¥11.836759
10+: ¥10.589672
100+: ¥8.259496
500+: ¥6.823021
1000+: ¥5.928699
2500+: ¥5.928699

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