库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.240047 | ￥18.24 |
| 10 | ￥16.404852 | ￥164.05 |
| 100 | ￥13.187417 | ￥1318.74 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 218A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.15 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 63 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 9690 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 83W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD17559Q5T | Texas Instruments | ¥25.57000 | 类似 |
FDMS1D5N03
型号：FDMS1D5N03
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.240047 |
| 10+： | ￥16.404852 |
| 100+： | ￥13.187417 |
| 500+： | ￥10.834663 |
| 1000+： | ￥8.977299 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.24