库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥61.396969 | ￥61.40 |
| 10 | ￥55.428855 | ￥554.29 |
| 100 | ￥45.890317 | ￥4589.03 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 110 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 130 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.45V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值: | 284 W |
| 开关能量: | 250µJ（开），4.2mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 200 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 50ns/220ns |
| 测试条件: | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 67 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247-3 |
| 标准包装: | 30 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NGTB45N60SWG | Rochester Electronics, LLC | ¥20.63267 | 类似 |
| APT60GT60BRG | Microchip Technology | ¥95.53000 | 类似 |
| APT50GT60BRG | Microchip Technology | ¥53.45000 | 类似 |
| IGW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | ¥43.01000 | 类似 |
| NGTB45N60S2WG | onsemi | ¥32.18000 | 类似 |
STGW50HF60SD
型号：STGW50HF60SD
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT 600V 110A 284W TO247
库存：0
单价：
| 1+： | ￥61.396969 |
| 10+： | ￥55.428855 |
| 100+： | ￥45.890317 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥61.40