BSM50GP120BOSA1

制造商编号:
BSM50GP120BOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT MODULE 1200V 50A
规格说明书:
BSM50GP120BOSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 2440.709791 2440.71

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.55V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 500 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.3 pF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 10

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FP75R17N3E4B11BPSA1 Rochester Electronics, LLC ¥1,120.48500 类似

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BSM50GP120BOSA1

型号:BSM50GP120BOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT MODULE 1200V 50A

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