库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.483404 | ￥19.48 |
| 10 | ￥17.531334 | ￥175.31 |
| 100 | ￥14.094571 | ￥1409.46 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 8 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13.7A（Ta），20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9 毫欧 @ 14A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 85 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Ta），6.5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDS6375 | onsemi | ¥7.45000 | 类似 |
SI4465ADY-T1-E3
型号：SI4465ADY-T1-E3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET P-CH 8V 8SOIC
库存：0
单价：
| 1+： | ￥19.483404 |
| 10+： | ￥17.531334 |
| 100+： | ￥14.094571 |
| 500+： | ￥11.580105 |
| 1000+： | ￥9.925719 |
| 2500+： | ￥9.925719 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.48