货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥43.850414 | ¥43.85 |
10 | ¥39.426618 | ¥394.27 |
100 | ¥32.303632 | ¥3230.36 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Ultra X2 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 22A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 160 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V @ 1.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 38 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2310 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 390W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥27.03000 | 类似 |
STP25N60M2-EP | STMicroelectronics | ¥23.50000 | 类似 |
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | ¥26.57000 | 类似 |
IXFP22N65X2
型号:IXFP22N65X2
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220
库存:0
单价:
1+: | ¥43.850414 |
10+: | ¥39.426618 |
100+: | ¥32.303632 |
500+: | ¥27.499305 |
1000+: | ¥23.19215 |
2000+: | ¥22.589734 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.85