IXTX600N04T2

制造商编号:
IXTX600N04T2
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3
规格说明书:
IXTX600N04T2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
30 179.947418 5398.42

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: TrenchT2™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 590 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 40000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFP7430PBF Infineon Technologies ¥35.17000 类似
IRFP4004PBF Infineon Technologies ¥49.61000 类似
IRLP3034PBF Infineon Technologies ¥49.00000 类似

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IXTX600N04T2

型号:IXTX600N04T2

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247-3

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