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货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| 二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 4A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.9 V @ 4 A |
| 速度: | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 200 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 150pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 带箔切割晶片 |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装: | 3,459 |
SIDC11D60SIC3
型号：SIDC11D60SIC3
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
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