HGTP10N120BN

制造商编号:
HGTP10N120BN
制造商:
ON安森美
描述:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
规格说明书:
HGTP10N120BN说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
800 20.504673 16403.74

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V @ 15V,10A
功率 - 最大值: 298 W
开关能量: 320µJ(开),800µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 100 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 23ns/165ns
测试条件: 960V,10A,10 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXGP20N120B3 IXYS ¥49.69000 类似
APT33GF120BRG Microchip Technology ¥70.73000 类似

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HGTP10N120BN

型号:HGTP10N120BN

品牌:ON安森美

描述:IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

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