APTM20DHM08G

制造商编号:
APTM20DHM08G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
规格说明书:
APTM20DHM08G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 208A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 毫欧 @ 104A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 280nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14400pF @ 25V
功率 - 最大值: 781W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP6
供应商器件封装: SP6
标准包装: 1

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APTM20DHM08G

型号:APTM20DHM08G

品牌:Microsemi美高森美

描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

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