RD3P100SNTL1

制造商编号:
RD3P100SNTL1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
规格说明书:
RD3P100SNTL1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.080116 13.08
10 11.687556 116.88
100 9.110325 911.03

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 133 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 20W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AUIRLR3410 Infineon Technologies ¥18.12000 类似

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RD3P100SNTL1

型号:RD3P100SNTL1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO252

库存:0

单价:

1+: ¥13.080116
10+: ¥11.687556
100+: ¥9.110325
500+: ¥7.525592
1000+: ¥5.941294
2500+: ¥5.545186
5000+: ¥5.40113

货期:1-2天

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