BC857CW/DG/B4F

制造商编号:
BC857CW/DG/B4F
制造商:
Nexperia安世
描述:
TRANSISTOR GEN PURP
规格说明书:
BC857CW/DG/B4F说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SC-70
标准包装: 10,000

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BC857CW/DG/B4F

型号:BC857CW/DG/B4F

品牌:Nexperia安世

描述:TRANSISTOR GEN PURP

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