STGD3NB60HDT4

制造商编号:
STGD3NB60HDT4
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 10A 50W DPAK
规格说明书:
STGD3NB60HDT4说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值: 50 W
开关能量: 33µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 21 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 5ns/53ns
测试条件: 480V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 95 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
标准包装: 2,500

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STGD3NB60HDT4

型号:STGD3NB60HDT4

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK

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