库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.916575 | ￥3.92 |
| 10 | ￥3.207861 | ￥32.08 |
| 100 | ￥2.184703 | ￥218.47 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1100 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TPH11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥5.76000 | 类似 |
RQ3E100BNTB
型号：RQ3E100BNTB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.916575 |
| 10+： | ￥3.207861 |
| 100+： | ￥2.184703 |
| 500+： | ￥1.638521 |
| 1000+： | ￥1.228897 |
| 3000+： | ￥1.126469 |
| 6000+： | ￥1.058221 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.92